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济南晶恒 1997—
中国半导体分立器件研发制造基地

标题

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pd(w)

vgs(max)(v)

rds(on)(typ)(ω)@10v

qg(typ)(nc)@10v

ciss(typ)(pf)

outline

d80n10f 100 80 45 ±20 0.0068 44.5 2626
d80n10d 100 80 227 ±20 0.0068 44.5 2626
d80n10e 100 80 227 ±20 0.0068 44.5 2626
d80n10n 100 80 227 ±20 0.0068 44.5 2626
d80n10m 100 80 227 ±20 0.0068 44.5 2626
d100n10g-3m7 100 100 227 ±20 3.7 72 4725
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d150n10 100 150 215 ±25 0.0048 120 6235
d150n10d 100 150 215 ±25 0.0048 120 6235
d170n10 100 170 300 ±20 3.0 95 5700
d170n10f 100 170 75 ±20 3.0 95 5700
d170n10d 100 170 300 ±20 3.0 95 5700
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d240n10d 100 240 395 ±20 2.7 169 11355
d240n10k 100 240 545 ±20 2.7 169 11355
d240n10p 100 240 545 ±20 2.7 169 11355
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20n65f 650 20 80 ±30 0.37 65 2400 ito-220
20n65fl 650 20 80 ±30 0.37 65 2400 ito-220-l
20n65k 650 20 250 ±30 0.37 65 2400 to-3p

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