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济南晶恒 1997—
中国半导体分立器件研发制造基地

标题

vds(v)

id(a)

pd(w)

vgs(max)(v)

rds(on)(typ)(ω)@10v

qg(typ)(nc)@10v

ciss(typ)(pf)

outline

sj7n65d 650 7 151 ±30 0.60 10.3 400 to-263
sj7n65n 650 7 151 ±30 0.60 10.3 400 to-251
sj7n65m 650 7 151 ±30 0.60 10.3 400 to-252
sj10n65m 650 10 63 ±30 0.55 13.1 480 to-252
d30p10 -100 -30 120 ±20 0.035 90 2700
sj11n65 650 11 151 ±30 0.38 32 720 to-220
sj11n65f 650 11 35 ±30 0.38 32 720 ito-220
sj11n65d 650 11 151 ±30 0.38 32 720 to-263
d30p10f -100 -30 48 ±20 0.035 90 2700
d30p10d -100 -30 120 ±20 0.035 90 2700
d30p10e -100 -30 120 ±20 0.035 90 2700
d30p10m -100 -30 120 ±20 0.035 90 2700
d30p10n -100 -30 120 ±20 0.035 90 2700
sj18n65 650 18 151 ±30 0.22 42 1230 to-220
sj18n65f 650 18 35 ±30 0.22 42 1230 ito-220
sj18n65d 650 18 151 ±30 0.22 42 1230 to-263
sj20n65 650 20 151 ±30 0.17 90 1510 to-220
sj20n65f 650 20 35 ±30 0.17 90 1510 ito-220
sj20n65d 650 20 151 ±30 0.17 90 1510 to-263
sj20n65e 650 20 151 ±30 0.17 90 1510 to-262

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